[18p-P09-1~5] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[18p-P09-2] Changes in the properties of Cat-CVD SiN_x by fire-through annealing

〇Toshiki Itasaka¹, Thi Cam Tu Huynh¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:c-Si solar cell, Cat-CVD

Cat-CVD法で屈折率を変化させて堆積したSiN_xが、ファイヤースルー相当のアニールによってどのように膜質が変化するのかを調査した。屈折率スペクトルや透過率スペクトルの結果より、ファイヤースルーアニールによってSiN_xの物性が変化していることが分かった。膜中水素の脱離などが関係している可能性が示唆される。接触抵抗の屈折率依存性からは、屈折率が大きいほど接触抵抗が大きくなる傾向が見られた。