[18p-Z05-1~16] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[18p-Z05-1] Theoretical calculation of a switching threshold voltage in a SiC complementary JFET logic gate operating at high temperature

〇Mitsuaki Kaneko¹, Masashi Nakajima¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:SiC, Complementary, JFET

SiC JFETは酸化膜をデバイス構造に使用しておらず、高温環境で動作可能な論理回路形成用の素子として有望視されている。これまで、nJFETとpJFETを組み合わせた相補型JFETによる集積回路の作製を提案しており、イオン注入によるnJFETおよびpJFETの同一基板上への作製とその400℃動作を報告した。実際に相補型論理ゲートを作製するにあたり、論理閾値電圧は動作時のノイズマージンを決定する重要な特性であるが、一般に、温度変化に伴い論理閾値電圧のシフトが生じる。今回、最も簡単な論理ゲートであるインバータについて論理閾値電圧の温度依存性について理論的検討を行い、その温度変化を抑制する設計指針について考察を行ったため報告する。