[18p-Z05-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [18p-Z05-10] 低温化によるキャリア捕獲時定数の増大に着目した4H-SiC MOS界面近傍欠陥の評価手法の検討

〇(M1)長谷川 凛平¹、喜多 浩之¹ (1.東京大工)

キーワード：SiCMOS界面、界面近傍欠陥、低温CV測定

MOS界面では一般にDitの評価が行われるが、その多くは界面から~nm離れたゲート絶縁膜中に存在する長い時定数を持つ捕獲準位(NIT; near-interface trap)を正しく検出せず、ms～s程度の時定数のNITの存在は常に見落とされている。そこで本研究では、SiCのp型MOSキャパシタを対象に、NITの捕獲時定数が増大する低温下でのC-V曲線のヒステリシスの評価により、室温であれば見落とされていた捕獲準位を選択的に抽出し評価した。