[18p-Z05-1~16] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [18p-Z05-11] Analysis of 3 level charge pumping characteristics in SiC MOSFETs considering carrier trapping and emission processes at interface traps

〇Yuta Matsuya¹, Hiroshi Yano¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:charge pumping method, SiC, MOS interface

MOSFETを用いた界面評価法にチャージポンピング法がある。その応用である3レベルチャージポンピング(3L-CP)法ではゲートパルスを3値とすることで、通常の2値のCP法より界面準位に関する多くの情報が得られる。以前、SiC MOSFETではSi MOSFETでは見られない特異な3L-CP特性が確認され、界面近傍酸化膜欠陥による影響であるという報告をした。今回、界面欠陥へのキャリアの捕獲・放出についてSRH統計に基づいた数式に立ち返り、SiC MOSFETの特異な3L-CP特性の解析を試みた。