[18p-Z05-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-Z05-15] ドライおよびウェット酸化種が共存する4H-SiC/SiO₂界面での反応機構の理論検討

〇清水 紀志¹、秋山 亨¹、伊藤 智徳¹、影島 博之²、植松 真司³、白石 賢二⁴ (1.三重大院工、2.島根大自然科学、3.慶応大理工、4.名大未来研)

キーワード：4H-SiC/SiO2、界面、第一原理計算