[18p-Z05-1~16] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [18p-Z05-2] Electrical properties of sulfur donors characterized by Hall effect
measurements of sulfur-implanted n-type SiC

〇(B)Taiga Matsuoka¹, Mitsuaki Kaneko¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:SiC, Hall effect measurement

SiC CJFETの設計にあたり、論理閾値電圧はノイズマージンを決定する重要な特性であるが、一般に温度変化に伴い、論理閾値電圧のシフトが生じる。CJFETにおける論理閾値電圧のシフトはn-JFETとp-JFETのドレイン電流が一致しなくなることに起因する。論理閾値電圧の温度変化を抑制するために、より深いドナーを用いることを提案する。Sがドナーとして深い準位を形成することが報告されているが、Hall効果測定による詳細な検討は行われていない。そこで、本研究では、SをドープしたSiCのHall効果測定を行い、電気的性質を評価したので報告する。