[18p-Z05-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [18p-Z05-2] Sイオン注入n型SiC層のHall効果測定によるSドナーの評価

〇(B)松岡 大雅¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大工)

キーワード：SiC、Hall効果測定

SiC CJFETの設計にあたり、論理閾値電圧はノイズマージンを決定する重要な特性であるが、一般に温度変化に伴い、論理閾値電圧のシフトが生じる。CJFETにおける論理閾値電圧のシフトはn-JFETとp-JFETのドレイン電流が一致しなくなることに起因する。論理閾値電圧の温度変化を抑制するために、より深いドナーを用いることを提案する。Sがドナーとして深い準位を形成することが報告されているが、Hall効果測定による詳細な検討は行われていない。そこで、本研究では、SをドープしたSiCのHall効果測定を行い、電気的性質を評価したので報告する。