[18p-Z05-1~16] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [18p-Z05-7] XPS study of SiO₂/4H-SiC(112(_)0) interface with NO-POA

〇Takato Nakanuma¹, Takuji Hosoi¹, Mitsuru Sometani², Mitsuo Okamoto², Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.AIST)

Keywords:SiC, MOSFET

熱酸化SiO2/SiC界面特性改善のため、NO雰囲気中アニール(NO-POA)が広く用いられている。NO-POAによってSiO2/SiC界面に導入される窒素の量は、アニール条件(温度や時間)と面方位に依存する。我々は以前、Si面およびC面上のNO-POA処理時間の異なるSiO2/SiC構造に傾斜エッチングを施して作製した膜厚分布を持つ試料のXPS分析を行い、SiO2/SiC界面への窒素原子の導入メカニズムを明らかにした。今回、a面上のNO窒化SiO2/SiC構造に対して同様の評価を行ったので報告する。