[18p-Z05-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [18p-Z05-8] 高温アニールとγ線照射による4H-SiC/SiO₂窒化界面構造の変化の違い

〇(M2)佐俣 勇祐¹、増永 昌弘²、島 明生²、桑名 諒²、喜多 浩之¹ (1.東大院工、2.日立製作所)

キーワード：界面窒化、γ線、XPS

本研究では、4H-SiC/SiO₂窒化界面構造の安定性に注目した。
Si面、C面およびa面上に形成された窒化界面構造の、高温アニールによる変化とγ線照射による変化について、その挙動の違いを評価した。