[18p-Z20-1~12] 12.5 有機太陽電池

[18p-Z20-1] MAPbI₃へのn型非晶質Si堆積時の原料ガスの影響

〇宋 展程¹、相撲 優花²、深谷 翔子²、Huynh Thi Cam Tu¹、Md. Shahiduzzaman²、當摩 哲也²、大平 圭介¹ (1.北陸先端大、2.金沢大)

キーワード：ペロブスカイト太陽電池、Cat-CVD、アモルファスシリコン

ペロブスカイト太陽電池の電子輸送層への使用を目的に、MAPbI₃上へのCat-CVDでのn-a-Si堆積時の原料ガスの影響を調査した。触媒体を1800 °Cに加熱し、H₂のみ、PH₃のみ、SiH₄のみを流入させた。PH₃およびH₂流入時は、触媒分解で生成した水素ラジカルがMAPbI₃と反応し、一部がPbI₂に変性した。SiH₄のみで処理を行った試料では、MAPbI₃の上にa-Si膜が堆積されるため、水素ラジカルとの反応を抑えられることを確認した。