[18p-Z24-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18p-Z24-4] エッチバック法を用いたGe-on-Insulator作製に向けたウェットエッチング法の検討

〇清水 昇¹、山本 圭介¹、王 冬¹、中島 寛² (1.九大・総理工、2.九大・GIC)

キーワード：Ge、Ge-on-Insulator、ウェットエッチング