[18p-Z29-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[18p-Z29-2] Effects of surface damages on current-modulating resistivity measurement of Si wafers

〇Kosuke Hara¹, Yuka Tsukakoshi¹, Keito Makise¹, Keisuke Arimoto¹, Yusuke Hoshi², Satoru Matsushima³ (1.Univ. of Yamanashi, 2.Tokyo City Univ., 3.PSTS)

Keywords:current-modulating resistivity measurement, silicon, defect

電流変調抵抗率測定法(CMR法)は、簡便な手法ながら、太陽電池用結晶Siウェーハの品質評価が可能な優れた手法である。しかし、どのような欠陥がどのようにCMR曲線を変化させるのか分かっていない。そこで、除去が容易な表面ダメージに着目し、CMR曲線に与える影響を解明することを目的に研究を行った。表面エッチング前後の比較により、表面ダメージはCMR曲線の変動を大きくする効果があることが分かった。