[18p-Z31-1~19] 17.3 層状物質

[18p-Z31-14] XPS時間依存測定による二次元MoS₂膜の放射線損傷に関する研究

〇松沢 理宏^1,2、五十嵐 智³、小林 大輔²、若林 整³、廣瀬 和之^1,2 (1.東大院工、2.JAXA宇宙研、3.東工大・工学院)

キーワード：二硫化モリブデン、X線光電子分光法、放射線損傷

二次元MoS₂層を利用したFETの放射線損傷を宇宙応用に向けて評価した．SiO₂膜上にスパッタで成膜しその後硫化処理を施した2種類の3nm-MoS₂薄膜に対しXPS時間依存測定を行い，X線照射による電荷捕獲と結晶相転移を評価した．その結果，スパッタ条件と硫化処理の条件によって，MoS₂膜中トラップの種類が電子捕獲あるいは正孔捕獲になることや，結晶相転移が起きることを明らかにした．