[18p-Z33-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-Z33-12] Crystal Orientation Dependence of α-Al₂O₃ Homoepitaxial Growth

〇Riena Jinno¹, Hironori Okumura¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:alumina, ultra-wide bandgap material, homoepitaxial growth

コランダム構造のα-Al₂O₃ (sapphire)は、約8.8 eVのバンドギャップを持つ固体材料であり、α-Ga₂O₃ との混晶によりバンドギャップ変調可能であることから、ヘテロ構造を用いたパワーデバイスや深紫外発光デバイスへの応用が期待されている。本研究では、分子線エピタキシー(MBE)法を用いたα-Al₂O₃ホモエピタキシャル成長の結晶方位依存性について報告する。