[18p-Z33-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-Z33-13] Formation of NiGa₂O₄ thin films on Ga₂O₃ substrates

〇Shinji Nakagomi¹, Yoshihiro Kokubun¹ (1.Ishinomaki Senshu)

Keywords:gallium oxide, nickel oxide

我々は、高温下でNiO/β-Ga₂O₃ヘテロ界面にNiGa₂O₄が形成されることを報告している。今回ゾル-ゲル法によりNiGa₂O₄薄膜の形成を試み、膜を評価した。950℃処理によって(-201)β-Ga₂O₃基板上で(111)配向NiGa₂O₄が得られた。また、Ga₂O₃との接合により整流性も得られた。