講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-Z33-1~17] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2021年3月18日(木) 13:00 〜 18:00 Z33 (Z33)

山本哲也(高知工科大)、井手啓介(東工大)、嶋紘平(東北大学)

17:00 〜 17:15

[18p-Z33-14] ミスト CVD 法による高 Mg 組成 Ni_1-xMg_xO 薄膜のエピタキシャル成長

〇(M1)孫芸華¹、池之上卓己¹、三宅正男¹、平藤哲司¹ (1.京大院エネ科)

キーワード：ミスト CVD 法、NiMgO