[18p-Z33-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-Z33-16] β-Ga₂O₃ homoepitaxial growth using gaseous GaCl₃

〇(B)Risa Nagano¹, Kentaro Ema¹, Kohei Sasaki², Akito Kuramata², Hisashi Murakami¹ (1.Tokyo Univ. of Agri & Tech., 2.Novel Crystal Technology, Inc.)

Keywords:Ga2O3, HVPE

ハライド気相成長(HVPE)法を用いるβ-Ga₂O₃成長では、高品質結晶を高い成長速度で実現している。しかしながら、大きな成長反応のギブズエネルギー変化に起因した原料分子の気相反応による表面形態の悪化が課題となっている。一方、原料分子にGaCl₃を用いるβ-Ga₂O₃成長はHVPE法と比べやや小さな反応のギブズエネルギー変化となるため、表面形態の改善と精密な膜厚制御性が期待できる。本研究では原料分子にGaCl₃を用いたβ-Ga₂O₃成長を行ったので報告する。