[18p-Z33-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-Z33-8] Characterization of piezoelectric property in Mg_0.6Zn_0.4O/ZnO pressure sensors by the resonance-antiresonance method

〇Haruyuki Endo¹, Takayuki Nihei¹, Kazunori Suzuki¹, Akira Barajima¹, Yasube Kashiwaba² (1.Iwate Ind. Res. Inst., 2.Iwate Univ.)

Keywords:MgZnO, pressure sensor, piezoelectric characteristics

我々は高温環境下での高速圧力計測用途を目指しZnO基板を使用した圧電型圧力センサ開発を進めてきた。一般に圧電素子には高い素子抵抗が必要なため高抵抗基板を使用するが、高温での抵抗率ばらつきが大きく素子抵抗を安定的に高抵抗化する技術が必要となった。そこでZnO基板へ高抵抗Mg_xZn_1-xO薄膜を積層することで高抵抗化と圧電特性の改善を目指し、共振・反共振法により圧電特性を評価したので報告する。