[19a-Z13-1~8] 6.1 Ferroelectric thin films

[19a-Z13-6] Piezoelectric properties of epitaxial (K, Na)NbO₃ thin films grown on Si substrates

〇Kiyotaka Tanaka¹, Yoshimasa Sai¹, Yoshiyuki Kawata¹, Sang-Hyo Kweon¹, Goon Tan², Isaku Kanno¹ (1.Kobe Univ., 2.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:lead-free piezoelectric materials, KNN thin film, piezoelectric property

非鉛圧電薄膜材料として(K, Na)NbO₃（KNN）が注目されている。我々はこれまでに，Si基板上にKNN薄膜をエピタキシャル成長させ，その圧電特性を評価することに成功した。しかしながら圧電変位定数e_31,fは5C/m²程度に留まり，その原因としてカンチレバー型サンプルにおける面内組成の不均一性などが挙げられる。今回は，スパッタ条件の最適化によって，エピタキシャルKNN薄膜の圧電特性が改善（e_31,f=9.1C/m²）したことについて報告する。