[19a-Z14-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19a-Z14-7] 新強磁性半導体：岩塩構造希土類単酸化物TbO

〇佐々木 智視¹、岡 大地¹、神永 健一²、齋藤 大地¹、阿部 展人¹、清水 宙一¹、福村 知昭¹ (1.東北大理、2.東北大院工)

キーワード：スピントロニクス、強磁性半導体、磁性薄膜

パルスレーザー堆積法を用いてTbOエピタキシャル薄膜の合成に初めて成功し、TbOが高いキュリー温度T_C = 231 Kおよび最近発見された高温強磁性半導体GdOのおよそ倍の大きな自発磁化2.4 μ_Bをもつ強磁性半導体であることを発見した。本講演においては、TbOエピタキシャル薄膜の磁気特性および光学特性について議論を行う予定である。