[19a-Z24-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19a-Z24-1] ミニマルファブでの利用を可能とする多種多様なハーフインチウェハの開発

〇根本 一正¹、田中 宏幸¹、酒井 孝昭^3,2、鍛冶倉 惇^3,2、楊 振^4,2、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ、3.不二越機械工業、4.VIYIA)

キーワード：ミニマルファブ、ウェハ

現在、シリコン以外の素材は開発中であり、ウェハエッジ形状では、加工精度に難易度がありシリコンよりもウェハエッジの形状と表面ラフネスに問題がある。但しミニマル装置では、厚みと直径が正確である前提の上で、ウェハエッジが最低50μm以上のアール面取り形状であれば、アール面取りは規格外でもデバイス試作は可能である。発表当日は、各素材ウェハの詳細な評価と課題、デバイス開発への応用について議論する。