[19a-Z25-1~8] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-Z25-1] GaNにおける電子・正孔の衝突イオン化係数の温度依存性

〇前田 拓也¹、成田 哲生²、山田 真嗣^3,4、加地 徹³、木本 恒暢¹、堀田 昌宏^1,3,5、須田 淳^1,3,5 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大未来材料・システム研究所、4.アルバック先進研、5.名大院工)

キーワード：窒化ガリウム、衝突イオン化係数、アバランシェ破壊

パワーデバイスの耐圧や安全動作領域を予測するには電子・正孔の衝突イオン化係数を用いたデバイスシミュレーションが必要である．これまで我々は，Franz-Keldysh効果による光吸収を利用し，光電流の電圧依存性からアバランシェ増倍係数を求める測定方法を報告してきた．本研究では，GaN p⁻/n⁺接合ダイオードにバンドギャップより短波長/長波長の光を照射し，それらの光電流増倍を解析することで，衝突イオン化係数の温度依存性を求めたので報告する．