The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19a-Z25-1~8] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Fri. Mar 19, 2021 9:30 AM - 11:45 AM Z25 (Z25)

Kenji Shiojima(Univ. of Fukui)

11:00 AM - 11:15 AM

[19a-Z25-6] Experimental demonstration of GaN IMPATT diode at X-band

Seiya Kawasaki1, Yuto Ando1, Manato Deki1,2, Hirotaka Watanabe3, Atsushi Tanaka3,4, Shugo Nitta3, Yoshio Honda3, Manabu Arai3, Hiroshi Amano2,3,4,5 (1.Nagoya Univ., 2.VBL, Nagoya Univ., 3.IMaSS, Nagoya Univ., 4.NIMS, 5.ARC, Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, IMPATT diode, Avalanche breakdown

GaN IMPATT ダイオードはその高い絶縁破壊電界と高い電子飽和速度から、THz領域までに及ぶ,高出力高周波発振器として期待されている。しかし、これまでその実験的な報告はほとんどなかった。これまで我々は、理想的なアバランシェ降伏を示すGaN縦型p-nダイオードを報告してきた。そこで本研究ではXバンド帯におけるGaN p-nダイオードのIMPATT動作について検討を行った。その結果9.52 GHzでのパルス発振が得られ、その出力は最大で14.45 mWであった。