[19a-Z33-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[19a-Z33-4] Characterization of Microstructures in β-Ga₂O₃ Crystals by Raman Mapping

〇(M1)Masahiko Nakanishi¹, Mayu Iizuka¹, Kohei Shoji¹, Satoshi Masuya², Makoto Kasu³, Tomohiro Yamaguchi¹, Tohru Honda¹, Kohei Sasaki², Akito Kuramata², Takeyoshi Onuma¹ (1.Kogakuin Univ., 2.NCT, 3.Saga Univ.)

Keywords:Ga2O3, Schottky diode, Raman Mapping

β-Ga₂O₃結晶に対しラマンマッピング測定を行い、ラマン散乱強度分布から微細構造の可視化を試みた。β-Ga₂O₃には無極性光学フォノンとして10個のA_gモードと5個のB_gモードがあるが、全て800 cm^-1以下に観測された。また、1300 cm^-1付近にはブロードなピークが観測された。光学顕微鏡像、A_g(1)、A_g(3)、1300 cm^-1でのラマンマッピング像の比較を行った。その結果、光学顕微鏡では観測できない微細構造を、顕微ラマンマッピングにより可視化することができた。