[19p-P02-1~22] 17 ナノカーボン(ポスター)

[19p-P02-13] 窒素添加したアモルファスカーボンを用いた抵抗変化メモリの検討

〇吉原 樹¹、亀田 夏美¹、古市 隼大¹、Nur Iyani Izzati Binti Ramli¹、上野 和良^1,2 (1.芝工大、2.RCGI)

キーワード：アモルファスカーボン、抵抗変化メモリ

近年、研究が盛んである抵抗変化メモリ(ReRAM)の多くは絶縁体を用いており、初期の高抵抗状態から、電流を流して低抵抗の電流フィラメントを形成し、酸化状態の変化等により抵抗変化動作を行う。今回、我々は炭素を用いたReRAMの可能性を検討する中で、窒素を添加したアモルファスカーボンを用いたW/a-C:N/Pt構造において、従来のReRAMと異なり、初期は低抵抗であり、電流を流して高抵抗にRESETした後にSET/RESETの抵抗変化をする動作を観測したので報告する。