[19p-P03-1~3] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19p-P03-3] 歪超格子バッファを用いたGaInSb HEMTの電気的特性と膜厚の評価

〇國澤 宗真¹、林 拓也¹、平岡 瑞穂¹、大金 剛毅¹、渡邊 一世^2,1、山下 良美²、原 伸介²、町田 龍人²、笠松 章史²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大基礎工、2.情報通信研究機構)

キーワード：高電子移動度トランジスタ、分子線エピタキシー、半導体

歪超格子バッファを用いたGaInSb HEMTの電気的特性と膜厚の評価を行った。我々は以前より、ある程度高い電子移動度を維持しつつ電子濃度を高くすることが可能なGaInSbチャネルHEMTの研究開発を行ってきた。本研究では、バッファ層内で生じている格子不整合緩和を目的とし、歪超格子（SLS）を設置することによる電気的特性への影響を検討した。併せて、SLSを用いた膜厚評価についても調べた。