[19p-P06-1~9] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-P06-2] Effects of forming gas annealing on electrical properties of Pt/ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTsⅢ

〇Toshiharu Kubo¹, Nobuki Yoshida¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:GaN, MIS-HEMT, FG-PMA

これまでにPdやPtを用いたPt(Pd)/Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTに対し、フォーミングガス(FG)雰囲気中でゲート金属形成後の熱処理(PMA)を行う場合、動的な閾値シフト(⊿V_th)の低減が比較低温のアニール温度で得られることを報告した。本研究では、FG-PMA温度依存性の詳細およびSiO₂/Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性を報告する。