[19p-Z14-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-Z14-3] 二核錯体を用いた正規組成SrTiO₃エピタキシャル薄膜の合成

〇岡 大地¹、Oyeka Ebube¹、權 垠相²、福村 知昭^1,3 (1.東北大理、2.東北大巨大分子センター、3.東北大AIMR＆CRC)

キーワード：半導体、エピタキシャル薄膜、SrTiO3

近年、SrTiO₃などの３元系酸化物薄膜においてカチオンの正規組成を厳密に制御すると特性が大幅に向上することが明らかになった。本研究では一分子中に同数のSr・Ti原子を含む新しい二核錯体を開発し、それを原料として大気下の溶液プロセスで正規組成のSrTiO₃エピタキシャル薄膜を合成することに成功したので報告する。