[19p-Z22-1~16] 3.13 半導体光デバイス

△ [19p-Z22-8] メタモルフィックバッファ層を有する
EバンドInAs/InGaAs量子ドットレーザの特性評価

〇(B)井本 隆哉^1,2、權 晋寛¹、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構、2.東理大理)

キーワード：量子ドットレーザ、メタモルフィック、量子ドット

近年、低OH損失ファイバや、粗波長分割多重の開発により、Oバンド・Cバンドに加えて E バンドや S バンドも注目されている。しかしながら、E バンドにおいては優れた特性を有する半導体レーザは開発されていないのが現状である。一方、InAs/GaAs 量子ドットレーザは高い効率や優れた温度特性を有しており、1.3 µm以下の帯域ではその高性能性が実証されているが、更なる長波長化については、現在メタモルフィック層の成長など基板の結晶格子定数を制御する手法が試みられている。今回、我々は、歪超格子層を含んだInGaAsメタモルフィック層を形成し、InAs 量子ドットを用いたEバンドレーザを実現した。更に、格子定数拡大、レーザクラッドおよび転移フィルタの役割をする多機能 InAlGaAsメタモルフィック層を有する構造についても、レーザ発振を確認したので報告する。