[19p-Z24-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19p-Z24-6] ハーフインチサイズのマルチチップパッケージにおけるチップ間レーザビア接続(II)

〇居村 史人¹、中道 修平²、井上 道弘¹、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ)

キーワード：ミニマルファブ、パッケージング、レーザビア

IoTなどに広く要求される少量多品種の電子デバイス製造を実現するミニマルファブのIoTデバイス製造プラットフォームの構築が進められている。これまで、複数チップをハーフインチサイズの基板上に搭載したパッケージを作製し、レーザビアとRDLによるチップ間電気的接続について評価してきた。今回、レーザビアと接続されるウェハプロセスで形成したCu/Ti/Al電極パッド部抵抗の影響について評価したので報告する。