[19p-Z25-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [19p-Z25-13] 表面活性化接合法によるダイヤモンド/Si ヘテロ接合ダイオードの作製

〇(DC)上東 洋太¹、大曲 新矢²、梅沢 仁²、山田 英明²、梁 剣波¹、重川 直輝¹ (1.大阪市大院工、2.産総研)

キーワード：表面活性化接合、ダイヤモンド/Si ヘテロ接合ダイオード

我々は、表面活性化接合(SAB)法を用いて p 型ダイヤモンドと異種半導体を直接接合することにより pn 接合、更には pn ダイオードの実現を目指している。本研究では、SAB 法により p 型ダイヤモンドと Silicon-on-insulator(SOI) 基板を直接接合した。Si 基板除去、電極形成を経て、Si 層/ダイヤモンド接合からなるダイオードを作製し、ダイオード特性を実証した。