[19p-Z25-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-Z25-4] 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaNリセスゲートHFETの作製

〇伊藤 滉朔¹、小松 裕斗¹、渡久地 政周¹、井上 暁喜²、三好 実人²、佐藤 威友¹ (1.北大量集センター、2.名工大)

キーワード：HFET、光電気化学エッチング、リセスゲート構造

我々は、AlGaN/GaN-HFETのゲートリセス加工に光電気化学(PEC: Photo-electrochemical)エッチングを適用し、閾値電圧制御やノーマリオフ化に有望であることを示した。さらに、より高耐圧化が期待されるAlGaNチャネルHFETのAlGaInNバリア層にも同様の手法が適用可能であることを明らかにした。今回は、PECエッチング法を用いてリセスゲートAlGaInN/AlGaN HFETを作製し、その電気的特性を評価したので報告する。