[19p-Z25-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [19p-Z25-6] 四元混晶AlGaInNバリア層を備えるAl_0.4Ga_0.6Nチャネル2DEGヘテロ構造の作製と特性評価

〇田中 さくら¹、井上 暁喜¹、山本 皓介¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名工大)

キーワード：Ⅲ族窒化物、AlGaNチャネルHFET、高絶縁破壊電圧

AlGaNチャネルHFETは、その非常に高いOFF耐圧から次世代のパワーデバイスとして有望である。我々は、チャネル層組成をAl_0.2Ga_0.8Nとした構成の中で、バリア層に格子歪みが制御された四元混晶AlGaInNを用いることで、優れた2DEG特性・表面平坦性・熱的安定性を有するヘテロ構造が形成でき、HFETのON特性向上が図れた事を報告している。本研究では、四元混晶AlGaInNバリア層を備えるAl_0.4Ga_0.6Nチャネル2DEGヘテロ構造の作製とその特性評価を試みたので報告する。