[19p-Z25-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [19p-Z25-7] 連続成長Npn接合を用いたAlGaN/GaN HBTの作製

〇(M2)隈部 岳瑠¹、安藤 悠人¹、渡邉 浩崇²、出来 真斗^1,3、田中 敦之⁴、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大VBL、4.物材機構、5.名大ARC)

キーワード：GaN、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ