[19p-Z33-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [19p-Z33-3] 溶液プロセスによる酸化物積層薄膜トランジスタの作製とAZOバッファ層の焼結雰囲気および膜厚依存性

〇(D)大浦 紀頼¹、和田 英男¹、小山 政俊¹、前元 利彦¹、佐々 誠彦¹ (1.大阪工大　ナノ材研)

キーワード：溶液法、酸化亜鉛、積層薄膜トランジスタ

近年，異なる酸化物半導体を積層させた薄膜トランジスタ（TFT）の研究報告があり，積層構造にすることでキャリア移動度やTFTの駆動能力や安定性が向上することが期待されている．我々は，ZnOまたはAZOチャネル層と高Al添加したAZOバッファ層を積層させることで特性改善することに成功した．今回，高抵抗AZOバッファ層の焼結雰囲気および膜厚によるTFTへの影響を評価したので，その結果について報告する．