[19p-Z33-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [19p-Z33-4] Formation and characterization of GZO transparent conductive films on flexible substrates by using plasma-assisted molecular beam deposition (6)

〇Junnosuke Sano¹, Yohei Satou¹, Yuuta Ide¹, Chihiro Yoshida¹, Tsutomu Muranaka¹, Yoichi Nabetani¹, Takashi Matsumoto¹ (1.Yamanashi Univ.)

Keywords:ZnO, Transparent conductive film, flexible

本研究グループは、これまでに、低温・低損傷プロセスであるプラズマ支援分子線堆積(PAMBD)法を用いて各種フレキシブル基板上へのGa添加ZnO (GZO)透明導電膜の形成と評価を行ってきた。今回の発表では、基本となる酸素(O₂)ガスに加え、他のガス(Kr, N₂,…)を添加した場合の薄膜形成条件の検討ならびに構造特性、光学的および電気的特性を詳細に評価した結果を報告する。