Yttrium Doping Concentration Dependence on Ferroelectric Properties of Hafnium-Zirconium Oxide Prepared by Chemical Solution Deposition

講演情報

Oral Session

B. Fundamentals of Novel Structure of Materials » [B-4] Recent development of novel ferroelectric materials, from fundamentals to applications

[B4-O1] Slot 01

2021年12月13日(月) 09:00 〜 11:00 Room N (G314+315)

Chair: Alexei Gruverman (University of Nebraska-Lincon), Hiroshi Funakubo (Tokyo Institute of Technology)

09:30 〜 09:45

*Keisuke Sasaki¹, Mohit Mohit¹, Eisuke Tokumitsu¹ (1. Japan Advanced Institute of Science and Technology (Japan))

キーワード：ferroelectric, chemical solution deposition, HfO2, thin films

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