Van der Waals Material Ferroelectric Tunneling Junction Memory Device

講演情報

Oral Session

B. Fundamentals of Novel Structure of Materials » [B-4] Recent development of novel ferroelectric materials, from fundamentals to applications

[B4-O6] Slot 06

2021年12月15日(水) 09:00 〜 11:00 Room N (G314+315)

Chair: Geoff L. Brennecka (Colorado school of mines), Naoshi Ikeda (Okayama University)

10:00 〜 10:30

*Han Wang¹ (1. University of Southern California (United States of America))

キーワード：2D materials, non-volatile memory, Ferroelectric tunneling junction, Van der Waals, Tunneling electroresistance

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