The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

16 Amorphous and Microcrystalline Materials » 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[7p-C24-1~20] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

Thu. Sep 7, 2017 1:45 PM - 7:00 PM C24 (C24)

Koichi Kajihara(Tokyo Metropolitan Univ.), Kenji Shinozaki(AIST)

5:15 PM - 5:30 PM

[7p-C24-14] Suppressive effect of X-ray induced defect in P-Ge and Al-Ge co-doped silica glass

〇(M1)Hiroshi Yokose1, Edson Haruhiko Sekiya1, Kazuya Saito1 (1.Toyota tech. Inst.)

Keywords:Ge co-doped, silica glass

シリカガラスにおいて、活性元素のクラスタリング抑制のために、AlやPの共添加が行われるが、AlやPに由来する光誘起欠陥の吸収が活性元素の励起波長域や発振波長域に影響することが知られている。今回、Ge共添加によって前述の光誘起欠陥の抑制効果があることが分かったため報告する。