2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[8a-C24-1~12] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

2017年9月8日(金) 09:00 〜 12:30 C24 (C24)

吉田 憲充(岐阜大)

10:00 〜 10:15

[8a-C24-5] 一軸加圧下熱処理による層状Bi-V-O系薄膜の固相結晶化と特性評価

伊藤 翔陽1、難波 諒太郎1、土嶺 信男2、金子 智1,3、松田 晃史1 (1.東工大物質理工、2.(株)豊島製作所、3.神奈川県産総研)

キーワード:層状Bi-V-O系薄膜、一軸加圧下熱処理、酸素イオン伝導体

層状構造をとるBi2VO5やBi2VO5.5は,酸素空孔に起因する酸素イオン伝導体として注目される。これまでにBi2VO5(V; 4+)は粉末固相反応法などにより作製されてきたが,単相および結晶配向性薄膜の作製やその物性に関する報告はまだ少ない。本研究では,Bi2VO5の結晶相と配向性制御および物性評価を目的として,一軸加圧下におけるBi-V-O系薄膜の固相結晶化が結晶相および特性にどのような影響を与えるか検討した。