[2L19-23] 水素同位体挙動

[2L20] タングステン中の重水素滞留挙動に及ぼす高エネルギー水素イオン及び電子線照射欠陥影響

*和田 拓郎¹、仲田 萌子¹、山﨑 翔太¹、小池 彩華¹、趙 明忠¹、孫 飛²、波多野 雄治³、大矢 恭久² (1. 静大院、2. 静大理、3. 富山大水素研)

キーワード：タングステン、水素イオン照射、重イオン照射、電子線照射、重水素滞留挙動

核融合炉運転時、プラズマ対向壁材料であるタングステン(W)には中性子や荷電粒子が照射され、水素同位体の安定な捕捉サイトである照射欠陥がバルク中に導入される。これらの照射欠陥はその飛程の違いから、表面及びバルク中に亘って不均一な分布を持つことが考えられる。本研究では、鉄イオン照射によって表面近傍に欠陥を導入したW試料に対して、水素イオン照射及び電子線照射を行い、バルク中にも照射欠陥を導入した。これらのイオン照射を異なるエネルギーを組み合わせることで、欠陥深さの違いによる影響を検討した。この試料に対して重水素イオン照射を行い、昇温脱離法(TDS)及びグロー放電発光分光分析(GD-OES)によって重水素滞留挙動を評価した。またHIDTシミュレーションにより欠陥の捕捉エネルギーやDの深さ分布の検討も行った。結果、表面及びバルク中の照射欠陥深さの差異によって、D滞留挙動が変化することが示唆された。