[2E13-17] 荷電粒子入射反応

[2E15] 230MeV/u　α粒子入射荷電粒子生成二重微分断面積の測定(2)

*古田 稔将¹、魚住 裕介¹、山口 雄司²、岩元 洋介²、佐波 俊哉³、古場 裕介⁴ (1. 九大、2. JAEA、3. KEK、4. QST)

キーワード：二重微分断面積、PHITS、α粒子入射

本研究では、230 MeV/u の α 粒子入射荷電粒子生成反応の二重微分断面積（DDX）の解析を目的とする。 230MeV/u の α 粒子ビームを標的核 C,Al,Co に入射し、その結果生じた放出角度 15°,20°,40°,60°における荷電粒子 p,d,t,3He,α の生成量を測定し、各標的核・放出角度の DDX を取得した。検出器として Si 半導体検出器、 GSO シンチレータ、PWO シンチレータで構成されたカウンターテレスコープを使用し、放出粒子の種類お よびエネルギーの同定には E-ΔE 測定法を用いた。