スケジュール 4 11:35 〜 11:50 [17A3-04] SiC/Ni中間層を用いたGaN基板の常温接合 〇竹内 魁1、須賀 唯知1、Mu Fengwen1、魚本 幸2、島津 武仁2 (1. 明星大学、2. 東北大学) 抄録パスワード認証パスワードは参加登録いただいた方に、事前にメール配信しております。 パスワード 認証