[P] P136~140

[P136] 水素チャージによるSiCの防食効果の検討

*関 航太朗¹、近藤 創介²、佐藤 紘一³、余 浩²、奥野 泰希²、笠田 竜太² (1. 東北大工（院生）、2. 東北大金研、3. 鹿児島大学)

キーワード：SiC、水素チャージ、防食、ダングリングボンド、燃料被覆管

SiCの腐食の原因と考えられる粒界のダングリングボンドの影響を確認をするために、水素終端を行った。TDSの結果から水素が試料中に滞留していることが示された。水素チャージによって防食の可能性が示唆された。