[P] P124~P128

[P128] 分子線エピタキシー法によるGaAs/GaNAsBi/GaAsコア-マルチシェルナノワイヤの成長

*奥嶋 正浩¹、吉川 晃平¹、森 翔太¹、行宗 詳規¹、石川 史太郎¹ (1. 愛媛大工)

キーワード：半導体、ナノワイヤ、分子線エピタキシー

光ファイバーの通信波長帯域である1300nmの発光を目指し、N、Bi添加ナノワイヤを成長させた。今回は、作製したGaNAsBiナノワイヤの構造特性や、発光特性を調査及び評価した。