[P] P192~P204

[P204] 静磁場印加電磁浮遊法を用いたSi-Ge融体の垂直分光放射率測定

*新井 佑梨¹、大塚 誠²、安達 正芳²、福山 博之² (1. 東北大（院生）、2. 東北大　多元研)

キーワード：Si、Ge、放射率、融体

Si-Ge融体の熱伝導率測定を目的としており、そのためには融体の熱容量の測定が必要である。本研究では熱容量測定に必要なレーザー吸収率を得るためSi-50 mol％Ge融体の垂直分光放射率の測定を行った。