[G] 電気・電子・光関連材料

[117] ステップテラス構造を有するTiO₂(110)基板上VO₂薄膜の金属–絶縁体相転移における結晶方位依存性

*金 庚民¹、玄地 真悟²、山崎 詩郎³、田中 秀和²、阿部 真之¹ (1. 阪大基、2. 阪大産研、3. 東工大)

キーワード：VO₂、TiO₂、metal−insulator transition、thin film growth

VO₂薄膜は室温近傍で数桁の抵抗変化を伴う金属-絶縁体相転移（MIT）を示す。本研究では原子レベルで表面構造が制御されたTiO₂(110)ステップ基板上にVO₂薄膜を成長させ、MIT特性の面内異方性を調べた。