[S3] Evaluation, analysis, and prediction of energy related materials performance (II)

[S3.17] Polarized light observation of threading edge dislocations in power device SiC substrates

Shunta Harada¹, *Kenta Murayama² (1. Nagoya University, 2. Mipox Corporation)

Keywords:偏光観察、SiC、パワーデバイス、転位

次世代パワーデバイス材料であるSiCでは、結晶中の転位がデバイスの性能や歩留りに影響を与えるため、非破壊検査手法が求められている。本研究では、偏光観察により結晶中の転位の同定が可能であることを解明した。