[P] P3~P7

[P5] Auを触媒としたGe薄膜の結晶化と熱処理の昇温速度依存性

*廣瀬 乾¹、木村 健二郎¹、SUNTHORNPAN Narin¹、弓野 健太郎^1,2 (1. 芝浦工大、2. 芝浦工大グリーンエレクトロニクス国際研究センター)

キーワード：半導体、Ge、トランジスタ

現在、半導体によく用いられているSiよりも高いキャリア移動度を示し、結晶化温度も低いものにGeがある。Geの熱処理における昇温速度依存性を構造解析と電気測定によって調べた。