[G] 半導体・テラヘルツ光

[300] スパッタ法で成膜した結晶VO₂薄膜の物性に及ぼす熱処理条件の影響

*杉浦 史生¹、馬場 将亮¹、篠原 維月¹、畑山 祥吾²、齊藤 雄太²、内田 紀行²、武田 雅敏¹ (1. 長岡技科大、2. 産総研)

キーワード：金属絶縁体相転移、スパッタリング法、二酸化バナジウム

VO₂は68℃付近で金属－絶縁体相転移を示す材料である．本研究では，スパッタ法で成膜したアモルファスVO₂を熱処理によって結晶化させる．この熱処理条件が薄膜の物性に及ぼす影響を調査した．